IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon および IAUA180N04S5N012AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N019GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Technology — OptiMOS-5 Trench

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