IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N019GATMA1 제조: Infineon 및 IAUA180N04S5N012AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7N019GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $1.96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
패키지 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
Series — OptiMOS-5 40 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Technology — OptiMOS-5 Trench

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