IAUCN08S7L110ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7L110ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $1,62
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 50 A —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 58 W —
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) 11 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS_max] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS_th] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Q_G_total] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ (Trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 expected per family) Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Polarity Single N-Channel —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Pin-Anzahl — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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