IAUCN08S7L110ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L110ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $1,62
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 50 A —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 58 W —
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) 11 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS_max] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS_th] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Q_G_total] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ (Trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 expected per family) Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Polarity Single N-Channel —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Nombre de broches — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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