IAUCN08S7L110ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7L110ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $1,62
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 50 A —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 58 W —
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) 11 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS_max] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS_th] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Q_G_total] —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ (Trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 expected per family) Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Polarity Single N-Channel —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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