IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon und IAUC120N06S5N011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS-5
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (Tj)
Pin-Anzahl 8 —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

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