IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5N011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS-5
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Boîtier PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (Tj)
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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