IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5N011ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS-5
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (Tj)
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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