IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon y IAUC120N06S5N011ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS-5
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C (Tj)
Recuento de pines 8 —
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

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