IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L110TATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Pin-Anzahl 8 —
MSL-Level 1 MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS-Status Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Datenblätter & Ressourcen

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