IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L110TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Boîtier PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 MSL1 (260°C peak reflow)
Statut RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Fiches techniques et ressources

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