IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 MSL1 (260°C peak reflow)
Status RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Fichas técnicas e recursos

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