IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S7N021ATMA1 von Infineon und IPN95R3K7P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S7N021ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $0,44
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 2.0 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C
Gehäuse PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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