IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S7N021ATMA1 제조: Infineon 및 IPN95R3K7P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN10S7N021ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $0.44 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 2.0 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C |
| 패키지 | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |