IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon y IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S7N021ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,05 $0,44
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 2.0 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C
Encapsulado PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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