IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon e IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S7N021ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $0,44
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 2.0 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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