IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon et IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S7N021ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $0,44
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 2.0 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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