IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S7N074ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7L033ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,86
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 (with exposed pad) —
MSL-Level MSL2 (1 year) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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