IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7N074ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 - 100V 7.4mΩ N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7N074ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,86 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 78 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 96 W (Tc) | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 (with exposed pad) | — |
| Niveau MSL | MSL2 (1 year) | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Application | 48 V Automotive Systems | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |