IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN10S7N074ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.86
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
パッケージ PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 (with exposed pad) —
MSLレベル MSL2 (1 year) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

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