IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon und IPD068N10N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

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