IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon et IPD068N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Fiches techniques et ressources

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