IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon e IPD068N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — 1
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Fichas técnicas e recursos

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