IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N10S5N130ATMA1 제조: Infineon 및 IPD068N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.52 | $0.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |