IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon y IPD068N10N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — 1
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

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