IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLD60R070D1AUMA3 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGLR70R200D2SXUMA1 von Infineon und IGLD60R070D1AUMA3 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IGLR70R200D2SXUMA1 IGLD60R070D1AUMA3
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,24 $5,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 15 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 114 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad)
RoHS Compliant —
On-Resistance (RDS(on)) — 70 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near zero (GaN technology)
Input Capacitance (Ciss) — 380 pF @ 400 V (per Utmel)
Montageart — Surface Mount
MSL-Level — 3
Halogenfrei — Yes
RoHS-Status — Compliant
Operating Temperature (Tj) — [DATA_NEEDED: Tj max]
Series — CoolGaN™
Polarity — N-Channel
Packaging — Tape & Reel
Factory Pack Quantity — 3000

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