IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLD60R070D1AUMA3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon et IGLD60R070D1AUMA3 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLR70R200D2SXUMA1 IGLD60R070D1AUMA3
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,24 $5,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolGaN G5 —
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A 15 A
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W 114 W
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad)
RoHS Compliant —
On-Resistance (RDS(on)) — 70 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near zero (GaN technology)
Input Capacitance (Ciss) — 380 pF @ 400 V (per Utmel)
Type de montage — Surface Mount
Niveau MSL — 3
Sans halogène — Yes
Statut RoHS — Compliant
Operating Temperature (Tj) — [DATA_NEEDED: Tj max]
Series — CoolGaN™
Polarity — N-Channel
Packaging — Tape & Reel
Factory Pack Quantity — 3000

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