IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLD60R070D1AUMA3 比較
詳細な並列比較: IGLR70R200D2SXUMA1 メーカー: Infineon および IGLD60R070D1AUMA3 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGLD60R070D1AUMA3 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.24 | $5.10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolGaN G5 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 15 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | 114 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| 動作温度範囲 | -40 °C to +150 °C | — |
| パッケージ | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) |
| RoHS | Compliant | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Output Charge (Qoss) | — | [DATA_NEEDED: Qoss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | Near zero (GaN technology) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 380 pF @ 400 V (per Utmel) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| MSLレベル | — | 3 |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Operating Temperature (Tj) | — | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| Series | — | CoolGaN™ |
| Polarity | — | N-Channel |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |