IGT65R025D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGT65R025D2ATMA1 von Infineon und IGLR70R200D2SXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ Aktiv
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IGT65R025D2ATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,55 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Gen2 (G5) CoolGaN G5
Transistortyp N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 236 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 25 mΩ (typical, per MPN suffix) —
Gehäuse PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Montageart Surface Mount —
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, typical) -40 °C to +150 °C
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss typical value] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near-zero (GaN characteristic) —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

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