IGT65R025D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IGT65R025D2ATMA1 от Infineon и IGLR70R200D2SXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IGT65R025D2ATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,55 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Gen2 (G5) CoolGaN G5
Тип транзистора N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 236 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 25 mΩ (typical, per MPN suffix) —
Корпус PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Тип монтажа Surface Mount —
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction, typical) -40 °C to +150 °C
Technology GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss typical value] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near-zero (GaN characteristic) —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену