IGT65R025D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IGT65R025D2ATMA1 par Infineon et IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IGT65R025D2ATMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,55 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN Gen2 (G5) | CoolGaN G5 |
| Type de transistor | N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 236 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 25 mΩ (typical, per MPN suffix) | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction, typical) | -40 °C to +150 °C |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Output Charge (Qoss) | [DATA_NEEDED: Qoss typical value] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | Near-zero (GaN characteristic) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |