IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon und IPD50P04P413ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $0,42
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS-Status Compliant (per Infineon product page) Compliant
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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