IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon et IPD50P04P413ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $0,42
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

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