IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB120P04P4L03ATMA2 제조: Infineon 및 IPD50P04P413ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.74 $0.42
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS 상태 Compliant (per Infineon product page) Compliant
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청