IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon e IPD50P04P413ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $0,42
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fichas técnicas e recursos

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