IPB60R280P7ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R280P7ATMA1 von Infineon und IAUA210N10S5N024AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R280P7ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS 5
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (T_j max) -55°C to +175°C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

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