IPB60R280P7ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPB60R280P7ATMA1 メーカー: Infineon および IAUA210N10S5N024AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ 生産中
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IAUA210N10S5N024AUMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1 - 100V 2.4mΩ 210A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUA210N10S5N024AUMA1 - 100V 2.4mΩ 210A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUA210N10S5N024AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB60R280P7ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.88 $1.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS 5
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (2 + Tab) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (T_j max) -55°C to +175°C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

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