IPB60R280P7ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon y IAUA210N10S5N024AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R280P7ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (T_j max) -55°C to +175°C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

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