IPB60R280P7ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IAUA210N10S5N024AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R280P7ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (T_j max) -55°C to +175°C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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