IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R280P7ATMA1 von Infineon und IPB100N12S305ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R280P7ATMA1 IPB100N12S305ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $1,25
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS Power MOSFET
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) — 100 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 300 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 4.8 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 185 nC
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount)
Anzahl der Pins — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)

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