IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB60R280P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPB100N12S305ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB60R280P7ATMA1 | IPB100N12S305ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.88 | $1.25 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | OptiMOS Power MOSFET |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (2 + Tab) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.8 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 185 nC |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |