IPB60R280P7ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IPB100N12S305ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R280P7ATMA1 IPB100N12S305ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,25
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS Power MOSFET
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) — 100 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 300 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 4.8 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 185 nC
Boîtier / Format — PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)

Fiches techniques et ressources

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