IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R280P7ATMA1 von Infineon und IPD60R2K0PFD7SAUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

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