IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPB60R280P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPD60R2K0PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ 生産中
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R2K0PFD7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.88 $0.35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
湿気感度レベル(MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

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