IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IPD60R2K0PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

Fiches techniques et ressources

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