IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon e IPD60R2K0PFD7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

Fichas técnicas e recursos

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