IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon y IPD60R2K0PFD7SAUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización