IPB60R280P7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R280P7ATMA1 von Infineon und IPL60R085P7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R280P7ATMA1 IPL60R085P7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $2,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (T_j max) —
Configuration Single N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

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