IPB60R280P7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon e IPL60R085P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB60R280P7ATMA1 IPL60R085P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $2,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (T_j max) —
Configuration Single N-Channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
Temperatura de junção de operação — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação