IPB60R280P7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R280P7ATMA1 par Infineon et IPL60R085P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R280P7ATMA1 IPL60R085P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $2,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (T_j max) —
Configuration Single N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
Température de jonction en fonctionnement — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Fiches techniques et ressources

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